ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
TK58A06N1,S4X(S транзистор, N-Channel MOSFET, 58 A, 60 V, 3-Pin TO-220SIS - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
TK58A06N1,S4X(S транзистор, N-Channel MOSFET, 58 A, 60 V, 3-Pin TO-220…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
TK58A06N1,S4X(S транзистор, N-Channel MOSFET, 58 A, 60 V, 3-Pin TO-220SIS
Последняя цена
120 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Toshiba
Артикул
TK58A06N1,S4X(S транзистор
P/N
TK58A06N1,S4X(S
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1741311
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
58 А
Максимальное рассеяние мощности
35 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.5мм
Высота
15мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальное сопротивление сток-исток
5,4 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
10мм
Серия
TK
Типичное время задержки выключения
56 нс
Тип корпуса
TO-220SIS
Размеры
10 x 4.5 x 15мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
33 ns
Производитель
Toshiba
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
46 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
3400 пФ при 30 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В