TK40A10N1, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 40А, 35Вт, TO220FP, Toshiba - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 260 руб.

Сравнить

Информация

Производитель

Toshiba

Артикул

TK40A10N1,S4X(S

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2112935

Технические параметры

Вес, г

1.65

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Toshiba

Тип корпуса

TO-220SIS

Height

15мм

Maximum Drain Source Voltage

100 В

Channel Type

Width

4.5мм

Pin Count

Серия

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество элементов на ИС

Maximum Continuous Drain Current

40 A

Maximum Power Dissipation

35 Вт

Maximum Drain Source Resistance

8,2 мΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

49 нКл при 10 В

Transistor Material

Кремний

Channel Mode

Поднятие

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Максимальное пороговое напряжение включения

TK40A10N1, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 40А, 35Вт, TO220FP - характеристики, поставщики

Последняя цена 260 руб.