ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
TK34E10N1, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 75А, 103Вт, TO220 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
TK34E10N1, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 75А, 103Вт, TO220
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
TK34E10N1, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 75А, 103Вт, TO220
Последняя цена
210 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
MOSFET N-Channel, серия TK3x, Toshiba
Информация
Производитель
Toshiba
Артикул
TK34E10N1,S1X(S
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2153339
Технические параметры
Вес, г
1
Тип корпуса
TO-220
Ширина
4.45мм
Число контактов
3
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Серия
U-MOSVIII-H
Длина
10.16мм
Высота
15.1мм
Размеры
10.16 x 4.45 x 15.1мм
Производитель
Toshiba
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Количество элементов на ИС
1
Максимальный непрерывный ток стока
75 A
Максимальное рассеяние мощности
103 Вт
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
9,5 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Материал транзистора
Кремний
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
2600 пФ при 50 В
Тип канала
N
Типичное время задержки выключения
50 ns
Типичное время задержки включения
31 ns
Категория
Импульсный регулятор
Типичный заряд затвора при Vgs
38 нКл при 10 В
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Прямое напряжение диода
1.2V