ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
TK30A06N1,S4X(S, MOSFET N-CH 60V 43A U-MOS-H TO-220SIS - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
TK30A06N1,S4X(S, MOSFET N-CH 60V 43A U-MOS-H TO-220SIS
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
TK30A06N1,S4X(S, MOSFET N-CH 60V 43A U-MOS-H TO-220SIS
Последняя цена
50 руб.
Сравнить
Описание
MOSFET N-Channel, серия TK3x, Toshiba
Информация
Производитель
Toshiba
Артикул
TK30A06N1,S4X(S
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1816998
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
2.2
Максимальный непрерывный ток стока
30 A
Максимальное рассеяние мощности
25 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.5мм
Высота
15мм
Количество элементов на ИС
1
Максимальное сопротивление сток-исток
15 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
10мм
Серия
TK
Типичное время задержки выключения
28 ns
Тип корпуса
TO-220SIS
Размеры
10 x 4.5 x 15мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
21 ns
Производитель
Toshiba
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
16 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
1050 пФ при 30 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В