ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
TK20N60W5,S1VF(S, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
TK20N60W5,S1VF(S, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
TK20N60W5,S1VF(S, Транзистор
Последняя цена
280 руб.
Сравнить
Описание
MOSFET N-Channel, серия TK2x, Toshiba
Информация
Производитель
Toshiba
Артикул
TK20N60W5,S1VF(S
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1815479
Технические параметры
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
TO-247
Высота
20.95mm
Transistor Material
Кремний
Length
15.94mm
Brand
Toshiba
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
55 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-30 В, +30 В
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Серия
DTMOSIV
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Power Dissipation
165 W
Width
5.02mm
Maximum Drain Source Resistance
175 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Channel Mode
Поднятие
Channel Type
N
Forward Diode Voltage
1.7V