TK20J60W,S1VQ(O транзистор, MOSFET N-CH 600V 20A DTMOS TO-3PN, Toshiba - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 470 руб.

Сравнить

Информация

Производитель

Toshiba

Артикул

TK20J60W,S1VQ(O транзистор

P/N

TK20J60W,S1VQ(O

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1814628

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Максимальный непрерывный ток стока

20 А

Максимальное рассеяние мощности

165 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.5мм

Высота

20мм

Количество элементов на ИС

Максимальное сопротивление сток-исток

155 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

15.5мм

Серия

Типичное время задержки выключения

100 нс

Тип корпуса

TO-3PN

Размеры

15.5 x 4.5 x 20мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

50 ns

Производитель

Toshiba

Maximum Gate Threshold Voltage

3.7V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

48 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

1680 пФ при 300 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

TK20J60W,S1VQ(O транзистор, MOSFET N-CH 600V 20A DTMOS TO-3PN - характеристики, поставщики

Последняя цена 470 руб.