TK16J60W,S1VQ(O, Транзистор, 600V/16A, Toshiba - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 380 руб.

Сравнить

Информация

Производитель

Toshiba

Артикул

TK16J60W,S1VQ(O

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1818570

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Максимальный непрерывный ток стока

15.8 A

Максимальное рассеяние мощности

130 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.5мм

Высота

Количество элементов на ИС

Максимальное сопротивление сток-исток

190 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Прямое напряжение диода

1.7V

Длина

15.5мм

Серия

Типичное время задержки выключения

100 нс

Тип корпуса

TO-3P

Размеры

15.5 x 4.5 x 20мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

50 ns

Производитель

Toshiba

Maximum Gate Threshold Voltage

3.7V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

38 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

1350 пФ при 300 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

TK16J60W,S1VQ(O, Транзистор, 600V/16A - характеристики, поставщики

Последняя цена 380 руб.