TK16E60W5,S1VX(S, Транзистор, Toshiba - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 130 руб.

Сравнить

Информация

Производитель

Toshiba

Артикул

TK16E60W5,S1VX(S

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1818575

Технические параметры

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

TO-220

Высота

15.1мм

Transistor Material

Кремний

Length

10.16мм

Brand

Toshiba

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

43 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-30 В, +30 В

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Серия

DTMOSIV

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

15.8 A

Maximum Power Dissipation

130 Вт

Width

4.45мм

Maximum Drain Source Resistance

230 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Channel Mode

Поднятие

Channel Type

Forward Diode Voltage

1.7V

TK16E60W5,S1VX(S, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 130 руб.