TK16A60W, Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 15,8А, 40Вт, TO220FP, Toshiba - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 530 руб.

Сравнить

Информация

Производитель

Toshiba

Артикул

TK16A60W,S4VX(M

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2197706

Технические параметры

Вес, г

Тип корпуса

TO-220SIS

Ширина

4.5мм

Число контактов

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Серия

Длина

10мм

Высота

15мм

Размеры

10 x 4.5 x 15мм

Производитель

Toshiba

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

15.8 A

Максимальное рассеяние мощности

40 W

Максимальное сопротивление сток-исток

190 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

1350 пФ при 300 В

Тип канала

Типичное время задержки выключения

100 нс

Типичное время задержки включения

50 ns

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

38 нКл при 10 В

Maximum Gate Threshold Voltage

3.7V

Прямое напряжение диода

1.7V

TK16A60W, Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 15,8А, 40Вт, TO220FP - характеристики, поставщики

Последняя цена 530 руб.