ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
TK16A60W5,S4VX(M, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
TK16A60W5,S4VX(M, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
TK16A60W5,S4VX(M, Транзистор
Последняя цена
230 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Toshiba
Артикул
TK16A60W5,S4VX(M
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
1795470
Технические параметры
Вес, г
1.627
Тип корпуса
TO-220SIS
Ширина
4.5мм
Число контактов
3
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Transistor Configuration
Одинарный
Серия
TK
Длина
10мм
Высота
15мм
Размеры
10 x 4.5 x 15мм
Производитель
Toshiba
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Количество элементов на ИС
1
Максимальный непрерывный ток стока
15.8 A
Максимальное рассеяние мощности
40 W
Максимальное сопротивление сток-исток
230 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Материал транзистора
Кремний
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
1350 пФ при 300 В
Тип канала
N
Типичное время задержки выключения
100 нс
Типичное время задержки включения
75 ns
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
43 нКл при 10 В
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V