TK13A60D, Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 13А, 50Вт, TO220FP, Toshiba - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 390 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор N-Ch RDS 0.33 Ohm Yfs 6.5s 10uA 600V

Информация

Производитель

Toshiba

Артикул

TK13A60D(STA4,Q,M)

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2178124

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

1.65

Mounting Type

Through Hole

Ширина

4.5 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

TK13A60D

Торговая марка

Toshiba

Длина

10 mm

Высота

15 mm

Id - непрерывный ток утечки

13 A

Pd - рассеивание мощности

50 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

SSM3J377 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

RoHS Status

RoHS Compliant

Supplier Device Package

TO-220SIS

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

430 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

13A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2300pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

50W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

430mOhm @ 6.5A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Series

ПЂ-MOSVII ->

Qg - заряд затвора

40 nC

Время нарастания

50 ns

Время спада

25 ns

Коммерческое обозначение

MOSVII

Типичное время задержки выключения

140 ns

Типичное время задержки при включении

100 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Техническая документация

Datasheet TK13A60D(STA4,Q,M) , pdf , 279 КБ
Datasheet TK13A60D(STA4.Q.M) , pdf , 272 КБ

TK13A60D, Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 13А, 50Вт, TO220FP - характеристики, поставщики

Последняя цена 390 руб.

Техническая документация