ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
TK11A65W,S5X(M, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
TK11A65W,S5X(M, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
TK11A65W,S5X(M, Транзистор
Последняя цена
130 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Toshiba
Артикул
TK11A65W,S5X(M
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1811414
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
6
Package Type
TO-220SIS
Ширина
4.5мм
Высота
15mm
Количество элементов на ИС
1
Length
10мм
Brand
Toshiba
Series
TK
Максимальное сопротивление сток-исток
390 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
25 nC @ 10 V
Maximum Continuous Drain Current
11.1 A
Maximum Power Dissipation
35 W
Forward Diode Voltage
1.7V
Максимальное пороговое напряжение включения
3.5V