ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
TK100E10N1,S1X(S транзистор, MOSFET,N-CHANNEL, 100V,207A,TO220 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
TK100E10N1,S1X(S транзистор, MOSFET,N-CHANNEL, 100V,207A,TO220
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
TK100E10N1,S1X(S транзистор, MOSFET,N-CHANNEL, 100V,207A,TO220
Последняя цена
270 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Toshiba
Артикул
TK100E10N1,S1X(S транзистор
P/N
TK100E10N1,S1X(S
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
1795465
Технические параметры
Вес, г
1.94
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
100A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
255W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance
3.4mО© @ 50A,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
100V
Vgs - Gate-Source Voltage
4V @ 1mA
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 248 КБ
