TIP50G, Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 1 А, 40 Вт, TO-220AB, Through Hole, ONSEMI - характеристики, поставщики, цена.

Сравнить

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

500 В)
• Напряжение эмиттер-база (Vcbo = 5 В)

Производитель

ONSEMI

Артикул

TIP50G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1398272

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

400В

Стиль Корпуса Транзистора

TO-220AB

Рассеиваемая Мощность

40Вт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

1а

DC Усиление Тока hFE

10hFE

Частота Перехода ft

10мгц

Transistor Mounting

Through Hole

Вес, г

Линейка Продукции

TIPxxx Series

TIP50G, Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 1 А, 40 Вт, TO-220AB, Through Hole - характеристики, поставщики