ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
TIP31G, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 3 А, 40 Вт, TO-220, Through Hole - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ONSEMI
TIP31G, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 3 А, 40 Вт, TO-220, Through…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
TIP31G, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 3 А, 40 Вт, TO-220, Through Hole
Последняя цена
140 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ONSEMI
Артикул
TIP31G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1398247
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер
40В
Стиль Корпуса Транзистора
to-220
Рассеиваемая Мощность
40Вт
Полярность Транзистора
npn
DC Ток Коллектора
3А
DC Усиление Тока hFE
10hFE
Частота Перехода ft
3МГц
Transistor Mounting
Through Hole
Вес, г
2.041
Техническая документация
Datasheet TIP31G/AG/BG/CG, TIP32G/AG/BG/CG (ON Semiconductor) , pdf
, 81 КБ