ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
TIP115G, Транзистор PNP, биполярный, Дарлингтон, 60В, 2А, 2Вт, TO220AB - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
TIP115G, Транзистор PNP, биполярный, Дарлингтон, 60В, 2А, 2Вт, TO220AB
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
TIP115G, Транзистор PNP, биполярный, Дарлингтон, 60В, 2А, 2Вт, TO220AB
Последняя цена
260 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы Дарлингтона\Транзисторы Дарлингтона PNP THT
Транзисторы Дарлингтона 2A 60V Bipolar Power PNP
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
TIP115G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2113693
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
PNP
Вес, г
2
Base Product Number
TIP115 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
2A
Current - Collector Cutoff (Max)
2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 1A, 4V
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3
Power - Max
2W
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-220AB
Transistor Type
PNP - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
2.5V @ 8mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60V
Number of Elements per Chip
1
Pin Count
3
Minimum DC Current Gain
1000@1A@4V|500@2A@4V
Pd - рассеивание мощности
2 W
Вид монтажа
Through Hole
Высота
15.75 mm
Длина
10.53 mm
Категория продукта
Транзисторы Дарлингтона
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
500, 1000
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
2 A
Максимальный ток отсечки коллектора
1000 uA
Минимальная рабочая температура
65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Непрерывный коллекторный ток
2 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
50
Серия
TIP110
Тип продукта
Darlington Transistors
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-220-3
Ширина
4.83 mm
EU RoHS
Compliant with Exemption
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Type
PNP
Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage (V)
60
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
60
Maximum Emitter Base Voltage (V)
5
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
2.5@8mA@2A
Maximum Power Dissipation (mW)
2000
Minimum Operating Temperature (°C)
-65
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tube
Automotive
Yes
Standard Package Name
TO-220
Supplier Package
TO-220AB
Military
No
Mounting
Through Hole
Package Height
9.28(Max)
Package Length
10.53(Max)
Package Width
4.83(Max)
PCB changed
3
Tab
Tab
Lead Shape
Through Hole
Maximum Continuous DC Collector Current (A)
2
Maximum Collector Cut-Off Current (uA)
1000
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 296 КБ
Datasheet , pdf
, 146 КБ
Datasheet , pdf
, 149 КБ