ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
TIP112G, NPN транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
TIP112G, NPN транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
TIP112G, NPN транзистор
Последняя цена
170 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы Дарлингтона 2A 100V Bipolar Power NPN
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
TIP112G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1807661
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
2.781
Pd - рассеивание мощности
2 W
Вид монтажа
Through Hole
Высота
15.75 mm
Длина
10.53 mm
Категория продукта
Транзисторы Дарлингтона
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
1000
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
2 A
Максимальный ток отсечки коллектора
1000 uA
Минимальная рабочая температура
65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
100 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Непрерывный коллекторный ток
2 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
50
Серия
TIP110
Тип продукта
Darlington Transistors
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-220-3
Ширина
4.83 mm
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 296 КБ
Datasheet , pdf
, 143 КБ
Datasheet , pdf
, 149 КБ