TIP110G, Транзистор составной NPN 60В 2A [TO-220AB], ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 60 руб.

Сравнить

Описание

Биполярный (BJT) транзистор NPN - Darlington 60V 2A 2W Through Hole TO-220AB

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

TIP110G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1812565

Технические параметры

Вес, г

2.5

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

Length

10.53мм

Maximum Collector Base Voltage

60 В пост. тока

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

60 V dc

Maximum Power Dissipation

50 Вт

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Width

4.83мм

Pin Count

Dimensions

10.53 x 4.83 x 15.75мм

Maximum Emitter Base Voltage

5 V dc

Minimum DC Current Gain

500

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип транзистора

NPN

Высота

15.75мм

Конфигурация

Одиночный

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2.5 V dc

Тип корпуса

TO-220

Максимальный непрерывный ток коллектора

5 A dc

Техническая документация

Datasheet , pdf , 296 КБ
Datasheet , pdf , 143 КБ
TIP110_D-2319952 , pdf , 294 КБ

TIP110G, Транзистор составной NPN 60В 2A [TO-220AB] - характеристики, поставщики

Последняя цена 60 руб.

Техническая документация