ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
TF414T5G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), 40 В, 50 мкА, 130 мкА, 4 В, SOT-883, JFET - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ONSEMI
TF414T5G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), 40 В, 50 мкА, 130 мкА…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
TF414T5G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), 40 В, 50 мкА, 130 мкА, 4 В, SOT-883, JFET
Последняя цена
29 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ONSEMI
Артикул
TF414T5G
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
1396969
Технические параметры
Количество Выводов
3 Вывода
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-883
Напряжение Пробоя Vbr
40В
Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off)
4В
Тип Транзистора
JFET
Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max)
130мкА
Вес, г
2
Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min)
50мкА
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 273 КБ