ELDG.ru
Категории
Производители
Регистрация поставщика
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
TCET1100G, Transistor Output Optocouplers Phototransistor Out Single CTR 50-600% - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
TCET1100G, Transistor Output Optocouplers Phototransistor Out Single C…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
TCET1100G, Transistor Output Optocouplers Phototransistor Out Single CTR 50-600%
Последняя цена
63 руб.
Сравнить
Описание
транзисторы биполярные импортные
Vishay
Транзисторные и фотоэлектрические выходные оптопары
Оптопара DC-IN 1-CH Транзистор DC-OUT 4-контактный DIL
Информация
Производитель
Vishay
Артикул
TCET1100G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2147166
Технические параметры
Base Product Number
TCET1100 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.40.8000
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40В°C ~ 100В°C
Package
Tube
Package / Case
4-DIP (0.400"", 10.16mm)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
4-DIP
Pin Count
4
EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
70
Maximum Power Dissipation (mW)
265
Minimum Operating Temperature (°C)
-40
Maximum Operating Temperature (°C)
100
Standard Package Name
DIP
Supplier Package
DIL
Mounting
Through Hole
Package Height
3.6
Package Length
4.75(Max)
Package Width
6.3
PCB changed
4
Lead Shape
Wide Lead Spacing Through Hole
Input Type
DC
Output Type
DC
Current - DC Forward (If) (Max)
60mA
Current Transfer Ratio (Min)
50% @ 5mA
Number of Channels
1
Turn On / Turn Off Time (Typ)
6Вµs, 5Вµs
Vce Saturation (Max)
300mV
Voltage - Forward (Vf) (Typ)
1.25V
Voltage - Isolation
5000Vrms
Voltage - Output (Max)
70V
Output Device
Transistor
Number of Channels per Chip
1
Minimum Isolation Voltage (Vrms)
5000
Maximum Forward Voltage (V)
1.6
Standard
CSA|FIMKO|IEC|VDE|UL|DIN|BSI|EN
Maximum Current Transfer Ratio (%)
600
Maximum Collector Current (mA)
50
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (mV)
300
Maximum Reverse Voltage (V)
6
Typical Forward Voltage (V)
1.25
Maximum Forward Current (mA)
60
Minimum Current Transfer Ratio (%)
50
Current Transfer Ratio Test Current (mA)
5
Typical Rise Time (us)
3
Typical Fall Time (us)
4.7
Current - Output / Channel
50mA
Current Transfer Ratio (Max)
600% @ 5mA
Rise / Fall Time (Typ)
3Вµs, 4.7Вµs
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 139 КБ
Datasheet , pdf
, 119 КБ
Datasheet , pdf
, 129 КБ