ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
TBC847B.LM, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
TBC847B.LM, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
TBC847B.LM, Транзистор
Последняя цена
9.4 руб.
Сравнить
Описание
Биполярные транзисторы - BJT BJT NPN 0.15A 50V
Информация
Производитель
Toshiba
Артикул
TBC847B.LM
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1744246
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.03
Pd - рассеивание мощности
320 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
200
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
150 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)
60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6 V
Непрерывный коллекторный ток
150 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
TBC8X7
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Toshiba
Упаковка / блок
SOT-23-3
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
450 at 2 mA, 5 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
100 MHz
Технология
Si
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
170 mV
Техническая документация
Datasheet TBC847B,LM , pdf
, 189 КБ