SUP57N20-33-E3, MOSFET N-Channel 200V 57A транзистор, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 780 руб.

Сравнить

Описание

N-канальный МОП-транзистор, от 200 до 250 В, Vishay Semiconductor

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

SUP57N20-33-E3

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1388933

Технические параметры

Вес, г

2.903

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Package Type

TO-220AB

Transistor Material

Length

10.41mm

Brand

Vishay

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

90 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Mounting Type

Through Hole

Transistor Configuration

Single

Minimum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

57 A

Maximum Power Dissipation

3.75 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

4.7mm

Height

9.01mm

Maximum Drain Source Resistance

33 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Техническая документация

Datasheet SUP57N20-33-E3 , pdf , 235 КБ
Datasheet SUP57N20-33-E3 , pdf , 196 КБ

SUP57N20-33-E3, MOSFET N-Channel 200V 57A транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 780 руб.

Техническая документация