ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SUM70040E-GE3, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
SUM70040E-GE3, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SUM70040E-GE3, Транзистор
Последняя цена
620 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный МОП-транзистор, от 100 до 150 В, Vishay Semiconductor
Информация
Производитель
Vishay
Артикул
SUM70040E-GE3
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1815589
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
120 А
Максимальное рассеяние мощности
375 Вт
Тип монтажа
Surface Mount
Ширина
10.41мм
Высота
4.82мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
4,6 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Прямое напряжение диода
1.5
Длина
9.65мм
Типичное время задержки выключения
55 нс
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Размеры
9.65 x 10.41 x 4.82мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
15 нс
Производитель
Vishay
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
76 нКл
Типичная входная емкость при Vds
5100 пФ
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Прямая активная межэлектродная проводимость
82s
Техническая документация
Datasheet SUM70040E-GE3 , pdf
, 187 КБ