ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STY145N65M5, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 650 В, 138 А, 0.012 Ом, MAX-247, Through Hole - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STY145N65M5, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 650 В, 138 А, 0.012 Ом,…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STY145N65M5, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 650 В, 138 А, 0.012 Ом, MAX-247, Through Hole
Последняя цена
5980 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники - Дискретные\Одиночные МОП-транзисторы
N-Channel MDmesh ™, 600 В / 650 В, STMicroelectronics
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STY145N65M5
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1388814
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
MAX-247
Рассеиваемая Мощность
625Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
650В
Непрерывный Ток Стока
138А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.012Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
4В
Transistor Mounting
Through Hole
Вес, г
2.3
Линейка Продукции
MDmesh M5 Series
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
Max247
Transistor Material
Si
Length
15.9мм
Brand
STMicroelectronics
Series
MDmesh
Pin Count
2
Typical Gate Charge @ Vgs
414 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Transistor Configuration
Одиночный
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
138 A
Maximum Power Dissipation
625 W
Width
5.3мм
Height
20.3mm
Maximum Drain Source Resistance
15 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Forward Diode Voltage
1.5V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 386 КБ