STW78N65M5, Power MOSFET Nch MDmesh V, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1720 руб.

Сравнить

Описание

Серия MDmesh ™ M5 с N-каналом, STMicroelectronics
Силовые полевые МОП-транзисторы MDmesh M5 оптимизированы для мощных топологий PFC и PWM. Основные характеристики включают низкие потери в открытом состоянии на площадь кремния в сочетании с низким зарядом затвора. Они разработаны для энергосберегающих, компактных и надежных устройств с аппаратным переключением, таких как преобразователи солнечной энергии, источники питания для потребительских товаров и электронные системы управления освещением.

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STW78N65M5

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1809215

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

Максимальный непрерывный ток стока

69 A

Максимальное рассеяние мощности

450 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

5.15мм

Высота

20.15мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

32 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

710 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

15.75мм

Серия

MDmesh M5

Типичное время задержки выключения

163 нс

Тип корпуса

TO-247

Размеры

15.75 x 5.15 x 20.15мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

14 ns

Производитель

STMicroelectronics

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

203 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

9000 пФ при 100 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Техническая документация

Datasheet , pdf , 954 КБ

STW78N65M5, Power MOSFET Nch MDmesh V - характеристики, поставщики

Последняя цена 1720 руб.

Техническая документация