ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STW75N60M6, Транзистор: N-MOSFET - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STW75N60M6, Транзистор: N-MOSFET
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
STW75N60M6, Транзистор: N-MOSFET
Последняя цена
1920 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STW75N60M6
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2087472
Технические параметры
Вес, г
2.5
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Brand
STMicroelectronics
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Configuration
Single
Package / Case
TO-247-3
Technology
Si
Series
STW75N60M6
Channel Mode
Enhancement
Rds On - Drain-Source Resistance
36 mOhms
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
600 V
Vgs - Gate-Source Voltage
10 V
Product Category
MOSFET
Pd - Power Dissipation
446 W
Factory Pack Quantity
600
Id - Continuous Drain Current
72 A
Manufacturer
STMicroelectronics
Mounting Style
Through Hole
Number Of Channels
1 Channel
Product Type
MOSFET
Qg - Gate Charge
106 nC
Subcategory
MOSFETs
Tradename
MDmesh
Transistor Type
1 N Channel
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage
3.25 V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 494 КБ