STW70N60DM6-4, Транзистор: N-MOSFET, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2040 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-канал 600V 62A (Tc) 390W (Tc) сквозное отверстие TO-247-4

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STW70N60DM6-4

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2087359

Технические параметры

Вес, г

2.5

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Brand

STMicroelectronics

Mounting Type

Through Hole

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Package Type

TO247-4

Pin Count

Configuration

Single

Packaging

Tube

Base Product Number

STW70 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-4

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247-4

Максимальный непрерывный ток стока

62 А

Максимальное сопротивление сток-исток

0,036 O

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Материал транзистора

SiC

Номер канала

Опускание

Тип канала

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

62A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

4360pF @ 100V

Power Dissipation (Max)

390W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

42mOhm @ 31A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±25V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.75V @ 250ВµA

Number of Elements per Chip

Series

Channel Mode

Enhancement

Typical Turn-On Delay Time

27 ns

Typical Turn-Off Delay Time

100 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

99nC @ 10V

Rds On - Drain-Source Resistance

42 mOhms

Transistor Polarity

N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

600 V

Vgs - Gate-Source Voltage

10 V

Maximum Gate Threshold Voltage

4.75V

Product Category

MOSFET

Pd - Power Dissipation

390 W

Factory Pack Quantity

600

Fall Time

11 ns

Id - Continuous Drain Current

5.4 A

Manufacturer

STMicroelectronics

Mounting Style

Through Hole

Number Of Channels

1 Channel

Product Type

MOSFET

Qg - Gate Charge

99 nC

Rise Time

15 ns

Subcategory

MOSFETs

Tradename

MDmesh

Transistor Type

1 N-Channel

Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage

3.25 V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 456 КБ
Datasheet STW70N60DM6-4 , pdf , 258 КБ

STW70N60DM6-4, Транзистор: N-MOSFET - характеристики, поставщики

Последняя цена 2040 руб.

Техническая документация