ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STW57N65M5-4, Транзистор N-МОП, полевой, 650В, 26,5А, 250Вт, TO247-4 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STW57N65M5-4, Транзистор N-МОП, полевой, 650В, 26,5А, 250Вт, TO247-4
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
STW57N65M5-4, Транзистор N-МОП, полевой, 650В, 26,5А, 250Вт, TO247-4
Последняя цена
2190 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STW57N65M5-4
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2181795
Технические параметры
Вес, г
6.16
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Brand
STMicroelectronics
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Packaging
Tube
Package / Case
TO-247-4
Technology
Si
Series
STW57N65M5-4
Rds On - Drain-Source Resistance
63 mOhms
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
650 V
Vgs - Gate-Source Voltage
25 V
Product Category
MOSFET
Pd - Power Dissipation
250 W
Factory Pack Quantity
600
Fall Time
8 ns
Id - Continuous Drain Current
42 A
Manufacturer
STMicroelectronics
Mounting Style
Through Hole
Product Type
MOSFET
Qg - Gate Charge
98 nC
Rise Time
9 ns
Subcategory
MOSFETs
Tradename
MDmesh
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage
4 V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1175 КБ