STW56N60DM2, MOSFET транзистор, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1080 руб.

Сравнить

Описание

Серия MDmesh DM2 с N-каналом, STMicroelectronics
МОП-транзисторы MDmesh DM2 предлагают низкое значение RDS (включено), а благодаря улучшенному времени обратного восстановления диода для повышения эффективности эта серия оптимизирована для работы с полным мостом с фазовым сдвигом. Топологии ZVS.

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STW56N60DM2

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1741232

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Максимальный непрерывный ток стока

50 A

Максимальное рассеяние мощности

360 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

5.15мм

Высота

20.15мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

60 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Прямое напряжение диода

1.6V

Длина

15.75мм

Серия

MDmesh DM2

Типичное время задержки выключения

130 нс

Тип корпуса

TO-247

Размеры

15.75 x 5.15 x 20.15мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

24 ns

Производитель

STMicroelectronics

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

90 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

4100 пФ при 100 В

Максимальное напряжение затвор-исток

±25 В

STW56N60DM2, MOSFET транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 1080 руб.