STW36NM60ND, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 18А, 190Вт, TO247, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 960 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор Auto-grade N-CH 600V 0.097Ohm typ 29A

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STW36NM60ND

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2117994

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

4.51

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Brand

STMicroelectronics

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Configuration

Single

Packaging

Tube

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

600

Серия

STW36NM60ND

Торговая марка

STMicroelectronics

Id - непрерывный ток утечки

29 A

Pd - рассеивание мощности

190 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

650 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-247-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Package / Case

TO-247-3

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

110 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

25 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

4 V

Technology

Series

STW36NM60ND

Typical Turn-On Delay Time

30 ns

Typical Turn-Off Delay Time

111 ns

Qg - заряд затвора

80.4 nC

Время нарастания

53.4 ns

Время спада

61.8 ns

Типичное время задержки выключения

111 ns

Типичное время задержки при включении

30 ns

Rds On - Drain-Source Resistance

110 mOhms

Transistor Polarity

N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

650 V

Vgs - Gate-Source Voltage

25 V

Product Category

MOSFET

Pd - Power Dissipation

190 W

Квалификация

AEC-Q101

Factory Pack Quantity

600

Fall Time

61.8 ns

Id - Continuous Drain Current

29 A

Manufacturer

STMicroelectronics

Mounting Style

Through Hole

Number Of Channels

1 Channel

Product Type

MOSFET

Qg - Gate Charge

80.4 nC

Rise Time

53.4 ns

Subcategory

MOSFETs

Transistor Type

1 N-Channel

Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage

4 V

Unit Weight

1.340411 oz

Qualification

AEC-Q101

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1358 КБ
Datasheet , pdf , 1328 КБ
Datasheet , pdf , 1328 КБ

STW36NM60ND, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 18А, 190Вт, TO247 - характеристики, поставщики

Последняя цена 960 руб.

Техническая документация