STW36N55M5 микросхема, MOSFET N-CHANNEL 550V 33A TO-247, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 476 руб.

Сравнить

Описание

Серия MDmesh ™ M5 с N-каналом, STMicroelectronics
Силовые полевые МОП-транзисторы MDmesh M5 оптимизированы для мощных топологий PFC и PWM. Основные характеристики включают низкие потери в открытом состоянии на площадь кремния в сочетании с низким зарядом затвора. Они разработаны для энергосберегающих, компактных и надежных устройств с аппаратным переключением, таких как преобразователи солнечной энергии, источники питания для потребительских товаров и электронные системы управления освещением.

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STW36N55M5 микросхема

P/N

STW36N55M5

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1814975

Технические параметры

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

TO-247

Transistor Material

Length

15.75mm

Brand

STMicroelectronics

Series

MDmesh M5

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

62 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Mounting Type

Through Hole

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

33 A

Maximum Power Dissipation

190 W

Width

5.15mm

Height

20.15mm

Maximum Drain Source Resistance

80 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Техническая документация

Datasheet , pdf , 755 КБ

STW36N55M5 микросхема, MOSFET N-CHANNEL 550V 33A TO-247 - характеристики, поставщики

Последняя цена 476 руб.

Техническая документация