ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STW35N60DM2, МОП-транзистор, Mdmesh DM2, N Канал, 28 А, 600 В, 0.094 Ом, 10 В, 4 В - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STW35N60DM2, МОП-транзистор, Mdmesh DM2, N Канал, 28 А, 600 В, 0.094 О…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
STW35N60DM2, МОП-транзистор, Mdmesh DM2, N Канал, 28 А, 600 В, 0.094 Ом, 10 В, 4 В
Последняя цена
485 руб.
Сравнить
Описание
Серия MDmesh DM2 с N-каналом, STMicroelectronics
МОП-транзисторы MDmesh DM2 предлагают низкое значение RDS (включено), а благодаря улучшенному времени обратного восстановления диода для повышения эффективности эта серия оптимизирована для работы с полным мостом с фазовым сдвигом. Топологии ZVS.
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STW35N60DM2
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
1812325
Технические параметры
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
to-247
Вес, г
4.43
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Полярность транзистора
N Канал
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Напряжение Истока-стока Vds
600в
Непрерывный Ток Стока
28А
Пороговое Напряжение Vgs
4В
Рассеиваемая Мощность
210Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.094Ом
Техническая документация
Datasheet STW35N60DM2 , pdf
, 579 КБ
Datasheet STW35N60DM2 , pdf
, 700 КБ