ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STW33N60M6, Транзистор: N-MOSFET - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STW33N60M6, Транзистор: N-MOSFET
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
STW33N60M6, Транзистор: N-MOSFET
Последняя цена
1090 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
N-Channel 600V 25A (Tj) Through Hole TO-247
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STW33N60M6
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2087432
Технические параметры
Вес, г
2.5
Mounting Type
Through Hole
Base Product Number
STW33 ->
Drain to Source Voltage (Vdss)
600V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Package
Tube
Package / Case
TO-247-3
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-247
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
25A (Tj)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Series
MDmeshв„ў M6 ->
Техническая документация
Datasheet STW33N60M6 , pdf
, 262 КБ