STW33N60M2, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 16А, 190Вт, TO247, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1140 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

Серия N-канальных MDmesh ™ M2, STMicroelectronics
Серия высоковольтных силовых полевых МОП-транзисторов от STMicroelecronics. Благодаря низкому заряду затвора и отличным характеристикам выходной емкости серия MDmesh M2 идеально подходит для использования в импульсных источниках питания резонансного типа (LLC-преобразователи).

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STW33N60M2

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2158031

Технические параметры

Вес, г

4.49

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

STMicroelectronics

Тип корпуса

TO-247

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

5.15мм

Height

20.15мм

Число контактов

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Package Type

TO-247

Width

5.15мм

Pin Count

Серия

MDmesh M2

Длина

15.75мм

Высота

20.15мм

Размеры

15.75 x 5.15 x 20.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Base Product Number

STW33 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247

Производитель

STMicroelectronics

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

26 А

Максимальное рассеяние мощности

190 W

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

125 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

1781 пФ при 100 В

Тип канала

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

26A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1781pF @ 100V

Power Dissipation (Max)

190W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 13A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±25V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Maximum Continuous Drain Current

26 А

Maximum Power Dissipation

190 Вт

Series

MDmeshв„ў II Plus ->

Maximum Drain Source Resistance

125 мΩ

Типичное время задержки выключения

109 нс

Типичное время задержки включения

16 ns

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

45,5 нКл при 10 В

Минимальное пороговое напряжение включения

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45.5nC @ 10V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

26A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

190W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

600V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Maximum Gate Threshold Voltage

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1118 КБ
Datasheet , pdf , 680 КБ

STW33N60M2, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 16А, 190Вт, TO247 - характеристики, поставщики

Последняя цена 1140 руб.

Техническая документация