STW28N65M2, Транзистор: N-MOSFET, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 276 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-канал 650V 20A (Tc) 170W (Tc) сквозное отверстие TO-247

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STW28N65M2

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2081580

Технические параметры

Вес, г

Mounting Type

Through Hole

Base Product Number

STW28 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

20A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1440pF @ 100V

Power Dissipation (Max)

170W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 10A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±25V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Series

MDmeshв„ў M2 ->

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1236 КБ

STW28N65M2, Транзистор: N-MOSFET - характеристики, поставщики

Последняя цена 276 руб.

Техническая документация