ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STW22N95K5, Транзистор N-МОП, полевой, 950В, 11А, 250Вт, TO247 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STW22N95K5, Транзистор N-МОП, полевой, 950В, 11А, 250Вт, TO247
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
STW22N95K5, Транзистор N-МОП, полевой, 950В, 11А, 250Вт, TO247
Последняя цена
900 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
МОП-транзистор N-Ch 950V.28Ohm typ 17.5A Zener-protect
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STW22N95K5
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2149682
Технические параметры
Вес, г
4.51
Mounting Type
Through Hole
Base Product Number
STW22 ->
Drain to Source Voltage (Vdss)
950V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-247-3
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-247
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
17.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1550pF @ 100V
Power Dissipation (Max)
250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
330mOhm @ 9A, 10V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100ВµA
Series
Automotive, AEC-Q101, SuperMESH5в„ў ->
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 10V
Id - непрерывный ток утечки:
17.5 A
Pd - рассеивание мощности:
250 W
Qg - заряд затвора:
48 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:
330 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток:
950 V
Vgs - напряжение затвор-исток:
- 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :
4 V
Вид монтажа:
Through Hole
Время нарастания:
15 ns
Время спада:
15 ns
Канальный режим:
Enhancement
Категория продукта:
МОП-транзистор
Количество каналов:
1 Channel
Коммерческое обозначение:
MDmesh
Конфигурация:
Single
Максимальная рабочая температура:
+ 150 C
Минимальная рабочая температура:
- 55 C
Подкатегория:
MOSFETs
Полярность транзистора:
N-Channel
Производитель:
STMicroelectronics
Размер фабричной упаковки:
600
Серия:
STW22N95K5
Технология:
Si
Тип продукта:
MOSFET
Тип транзистора:
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения:
65 ns
Типичное время задержки при включении:
20 ns
Торговая марка:
STMicroelectronics
Упаковка / блок:
TO-247-3
Упаковка:
Tube
Квалификация:
AEC-Q101
Техническая документация
Datasheet STW22N95K5 , pdf
, 729 КБ
Datasheet STW22N95K5 , pdf
, 585 КБ