STW11NK90Z, Транзистор: N-MOSFET, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 560 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-Channel MDmesh ™ SuperMESH ™, от 700 В до 1200 В, STMicroelectronics

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STW11NK90Z

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2081206

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Length

15.75мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

STMicroelectronics

Тип корпуса

TO-247

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

5.15мм

Height

20.15мм

Число контактов

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

600

Серия

MDmesh, SuperMESH

Торговая марка

STMicroelectronics

Длина

15.75мм

Высота

20.15мм

Размеры

15.75 x 5.15 x 20.15мм

Id - непрерывный ток утечки

9.2 A

Pd - рассеивание мощности

200 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

900 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-247-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

STW11 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

900V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247-3

Производитель

STMicroelectronics

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество каналов

1 Channel

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

9,2 A

Максимальное рассеяние мощности

200 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

980 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

900 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

3000 пФ при 25 В

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

980 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

9.2A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

3000pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

200W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

980mOhm @ 4.6A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 100ВµA

Maximum Power Dissipation

200 Вт

Series

MDmesh, SuperMESH

Typical Gate Charge @ Vgs

95 нКл при 10 В

Channel Mode

Поднятие

Maximum Gate Source Voltage

-30 В, +30 В

Qg - заряд затвора

95 nC

Время нарастания

19 ns

Время спада

50 ns

Коммерческое обозначение

SuperMESH

Типичное время задержки выключения

76 нс

Типичное время задержки при включении

30 ns

Типичное время задержки включения

30 нс

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

95 нКл при 10 В

Минимальное пороговое напряжение включения

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

115nC @ 10V

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Максимальное пороговое напряжение включения

4.5V

Техническая документация

Datasheet STW11NK90Z , pdf , 235 КБ
Datasheet STW11NK90Z , pdf , 222 КБ

STW11NK90Z, Транзистор: N-MOSFET - характеристики, поставщики

Последняя цена 560 руб.

Техническая документация