STU10NM60N, Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 5А, 70Вт, IPAK, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 200 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор N-channel 600 V Mdmesh 8A

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STU10NM60N

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2172154

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.38

Mounting Type

Through Hole

Конфигурация

Single

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

STU10NM60N

Торговая марка

STMicroelectronics

Id - непрерывный ток утечки

8 A

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Вид монтажа

Through Hole

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-251-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

STU10 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

I-PAK

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

530 mOhms

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

10A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 50V

Power Dissipation (Max)

70W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 4A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±25V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Series

MDmeshв„ў II ->

Коммерческое обозначение

MDmesh

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 698 КБ
Datasheet , pdf , 558 КБ

STU10NM60N, Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 5А, 70Вт, IPAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 200 руб.

Техническая документация