ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STT5N2VH5, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STT5N2VH5, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STT5N2VH5, Транзистор
Последняя цена
14 руб.
Сравнить
Описание
N-канальные полевые МОП-транзисторы STripFET ™ V, STMicroelectronics
МОП-транзисторы STripFET ™ с широким диапазоном напряжения пробоя обеспечивают сверхнизкий заряд затвора и низкое сопротивление в открытом состоянии.
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STT5N2VH5
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1810702
Технические параметры
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
SOT-23
Transistor Material
Si
Length
3.05mm
Brand
STMicroelectronics
Series
STripFET V
Pin Count
6
Typical Gate Charge @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Transistor Configuration
Single
Minimum Gate Threshold Voltage
0.7V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
5 А
Maximum Power Dissipation
1.6 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
1.75мм
Height
1.3мм
Maximum Drain Source Resistance
40 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
