STS1DNC45, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 450 В, 400 мА, 4.1 Ом, SOIC, Surface Mount, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 350 руб.

Сравнить

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STS1DNC45

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1388364

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

8вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

SOIC

Рассеиваемая Мощность

1.6Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

450В

Непрерывный Ток Стока

400ма

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

4.1Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Пороговое Напряжение Vgs

3В

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.125

Линейка Продукции

SuperMESH Series

Pin Count

Number of Elements per Chip

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Configuration

Dual Dual Drain

ECCN (US)

EAR99

EU RoHS

Compliant

Lead Shape

Gull-wing

Maximum Continuous Drain Current (A)

0.4

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

4500@10V

Maximum Drain Source Voltage (V)

450

Maximum Gate Source Voltage (V)

±30

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Maximum Power Dissipation (mW)

2000

Minimum Operating Temperature (°C)

-65

Mounting

Surface Mount

Packaging

Tape and Reel

Part Status

Active

PCB changed

Product Category

Power MOSFET

Standard Package Name

SOP

Supplier Package

SO N

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

160@25V

HTS

8541.29.00.95

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

7@10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

Typical Fall Time (ns)

Typical Rise Time (ns)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

6.7

Automotive

Military

Package Height

1.65(Max)

Package Length

5(Max)

Package Width

4(Max)

Техническая документация

Datasheet STS1DNC45 , pdf , 204 КБ
Datasheet STS1DNC45 , pdf , 301 КБ

STS1DNC45, Двойной МОП-транзистор, N Канал, 450 В, 400 мА, 4.1 Ом, SOIC, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 350 руб.

Техническая документация