STR2P3LLH6, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 2 А, 0.048 Ом, SOT-23, Surface Mount, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 96 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

P-канальные полевые МОП-транзисторы STripFET ™, STMicroelectronics
МОП-транзисторы STripFET ™ с широким диапазоном напряжения пробоя обеспечивают сверхнизкий заряд затвора и низкое сопротивление в открытом состоянии.

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STR2P3LLH6

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1388320

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

sot-23

Рассеиваемая Мощность

350мВт

Полярность Транзистора

P Канал

Напряжение Истока-стока Vds

30В

Непрерывный Ток Стока

2А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.048Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Пороговое Напряжение Vgs

2.5В

Transistor Mounting

Surface Mount

Линейка Продукции

STripFET H6 Series

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Максимальный непрерывный ток стока

2 А

Package Type

SOT-23

Максимальное рассеяние мощности

350 мВт

Ширина

1.75мм

Высота

1.3мм

Transistor Material

Кремний

Количество элементов на ИС

Length

3.04мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

STMicroelectronics

Series

STripFET

Максимальное сопротивление сток-исток

90 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

6 нКл при 4,5 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Длина

3.04мм

Тип корпуса

SOT-23

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Типичный заряд затвора при Vgs

6 нКл при 4,5 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

2 А

Maximum Power Dissipation

350 мВт

Height

1.3мм

Maximum Drain Source Resistance

90 мΩ

Maximum Drain Source Voltage

30 В

Channel Mode

Поднятие

Channel Type

Минимальное пороговое напряжение включения

Forward Diode Voltage

1.1V

Максимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Техническая документация

Datasheet STR2P3LLH6 , pdf , 592 КБ

STR2P3LLH6, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 2 А, 0.048 Ом, SOT-23, Surface Mount - характеристики, поставщики

Последняя цена 96 руб.

Техническая документация