STQ1NK60ZR-AP, Транзистор MOSFET N-канал 600В 0.3А [TO-92 Ammo], ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 26 руб.

Сравнить

Описание

STQ1NK60ZR-AP - это N-канальный силовой полевой МОП-транзистор SuperMESH ™, обеспечивающий стабилитронную защиту и минимальный заряд затвора. Этот силовой полевой МОП-транзистор разработан с использованием технологии SuperMESH ™ от STMicroelectronics, достигнутой за счет оптимизации хорошо зарекомендовавшей себя ленточной схемы PowerMESH ™. Помимо значительного снижения сопротивления включению, это устройство разработано для обеспечения высокого уровня допустимых значений dV / dt для наиболее требовательных приложений.

• 100% лавинные испытания
• Чрезвычайно высокие значения dV / dt

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STQ1NK60ZR-AP

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1793669

Технические параметры

Вес, г

0.3

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

300mA(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

3W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

600V

Vgs - Gate-Source Voltage

4.5V @ 50uA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1004 КБ
stn1nk60z , pdf , 986 КБ

STQ1NK60ZR-AP, Транзистор MOSFET N-канал 600В 0.3А [TO-92 Ammo] - характеристики, поставщики

Последняя цена 26 руб.

Техническая документация