ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STP9NK60Z, Транзистор MOSFET N-канал 600В 7А [TO-220] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STP9NK60Z, Транзистор MOSFET N-канал 600В 7А [TO-220]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STP9NK60Z, Транзистор MOSFET N-канал 600В 7А [TO-220]
Последняя цена
86 руб.
Сравнить
Описание
MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 7 А; Rси(вкл): 0.95 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 38 нКл
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 7 А, Сопротивление открытого канала (мин) 950 мОм
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STP9NK60Z
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1793640
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
2.5
Максимальный непрерывный ток стока
7 A
Максимальное рассеяние мощности
125 W
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.6мм
Высота
9.15мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
950 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
10.4мм
Серия
MDmesh, SuperMESH
Типичное время задержки выключения
43 нс
Тип корпуса
TO-220
Размеры
10.4 x 4.6 x 9.15мм
Материал транзистора
SI
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
19 ns
Производитель
STMicroelectronics
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
38 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
1110 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Техническая документация
9nk60 , pdf
, 587 КБ
Datasheet , pdf
, 510 КБ