STP8N120K5, Транзистор: N-MOSFET, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 960 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-канал 1200V 6A (Tc) 130W (Tc) сквозное отверстие TO-220

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STP8N120K5

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2090014

Технические параметры

Вес, г

Mounting Type

Through Hole

Base Product Number

STP8N120 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

6A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

505pF @ 100V

Power Dissipation (Max)

130W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 2.5A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 100ВµA

Series

MDmeshв„ў K5 ->

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13.7nC @ 10V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 242 КБ
Datasheet STP8N120K5 , pdf , 275 КБ

STP8N120K5, Транзистор: N-MOSFET - характеристики, поставщики

Последняя цена 960 руб.

Техническая документация