STP7NK40Z, Транзистор N-МОП, полевой, +Z 400В 5,4A 70Вт 1Ом TO220, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 190 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

• 0,85R RDS (ON)
• Чрезвычайно высокая способность dV / dt
• 100% протестировано на лавинах
• Минимальный заряд затвора
• Очень низкая собственная емкость
• Очень хорошее производство воспроизводимость
• от -55 до 150 ° C Диапазон рабочих температур перехода

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STP7NK40Z

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2174511

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

2.72

Mounting Type

Through Hole

Ширина

4.6 mm

Конфигурация

Single

Channel Type

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Pin Count

Configuration

Single

EU RoHS

Compliant with Exemption

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.21.00.95

Lead Shape

Through Hole

Package Length

10.4(Max)

Package Width

4.6(Max)

PCB changed

Package Height

9.15(Max)

Mounting

Through Hole

Maximum Drain Source Voltage (V)

400

Maximum Power Dissipation (mW)

70000

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tube

Automotive

Supplier Package

TO-220

Standard Package Name

TO-220

Military

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

STP7NK40Z

Тип

MOSFET

Торговая марка

STMicroelectronics

Длина

10.4 mm

Высота

9.15 mm

Id - непрерывный ток утечки

5.4 A

Pd - рассеивание мощности

70 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

400 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

3.5 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

STP7NK40 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

400V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Process Technology

SuperMESH

Количество каналов

1 Channel

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

5.4A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

535pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

70W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1Ohm @ 2.7A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 50ВµA

Number of Elements per Chip

Series

SuperMESHв„ў ->

Channel Mode

Enhancement

Время нарастания

15 ns

Время спада

12 ns

Коммерческое обозначение

SuperMESH

Типичное время задержки выключения

30 ns

Типичное время задержки при включении

15 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

5.4A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

70W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

1О© @ 2.7A,10V

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

400V

Vgs - Gate-Source Voltage

4.5V @ 50uA

Product Category

Power MOSFET

Maximum Gate Source Voltage (V)

±30

Maximum Continuous Drain Current (A)

5.4

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

1000@10V

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

19@10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

535@25V

Typical Fall Time (ns)

Typical Rise Time (ns)

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

Tab

Техническая документация

Datasheet , pdf , 635 КБ
Datasheet , pdf , 602 КБ
Datasheet STP7NK40Z , pdf , 648 КБ
Datasheet , pdf , 604 КБ

STP7NK40Z, Транзистор N-МОП, полевой, +Z 400В 5,4A 70Вт 1Ом TO220 - характеристики, поставщики

Последняя цена 190 руб.

Техническая документация