ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STP3NK60ZFP, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STP3NK60ZFP, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STP3NK60ZFP, Транзистор
Последняя цена
220 руб.
Сравнить
Описание
N-Channel MDmesh ™ SuperMESH ™, от 250 до 650 В, STMicroelectronics
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STP3NK60ZFP
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1700882
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
2
Максимальный непрерывный ток стока
2,4 A
Package Type
TO-220FP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.6мм
Высота
16.4мм
Transistor Material
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Конфигурация транзистора
Одинарный
Brand
STMicroelectronics
Series
MDmesh, SuperMESH
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
3,6 Ω
Тип канала
N
Длина
10.4мм
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
11,8 нКл при 10 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Maximum Power Dissipation
20 Вт
Maximum Drain Source Voltage
600 В
Channel Mode
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
3V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 998 КБ
Datasheet STP3NK60ZFP , pdf
, 757 КБ