STP36N60M6, Транзистор: N-MOSFET, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1170 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STP36N60M6

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2087492

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

2.5

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Brand

STMicroelectronics

Mounting Type

Through Hole

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Configuration

Single

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

Mdmesh M6

Торговая марка

STMicroelectronics

Id - непрерывный ток утечки

30 A

Pd - рассеивание мощности

208 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

STP36 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

85 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

25 V, + 25 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3.25 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

30A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1960pF @ 100V

Power Dissipation (Max)

208W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

99mOhm @ 15A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±25V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.75V @ 250ВµA

Series

MDmeshв„ў M6 ->

Channel Mode

Enhancement

Typical Turn-On Delay Time

15.2 ns

Typical Turn-Off Delay Time

50.2 ns

Qg - заряд затвора

44.3 nC

Время нарастания

5.3 ns

Время спада

7.3 ns

Коммерческое обозначение

MDmesh

Типичное время задержки выключения

50.2 ns

Типичное время задержки при включении

15.2 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44.3nC @ 10V

Rds On - Drain-Source Resistance

85 mOhms

Transistor Polarity

N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

600 V

Vgs - Gate-Source Voltage

25 V

Product Category

MOSFET

Pd - Power Dissipation

208 W

Factory Pack Quantity

1000

Fall Time

7.3 ns

Id - Continuous Drain Current

30 A

Manufacturer

STMicroelectronics

Mounting Style

Through Hole

Number Of Channels

1 Channel

Product Type

MOSFET

Qg - Gate Charge

44.3 nC

Rise Time

5.3 ns

Subcategory

MOSFETs

Tradename

MDmesh

Transistor Type

1 N-Channel

Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage

3.25 V

Unit Weight

0.063493 oz

Техническая документация

Datasheet , pdf , 643 КБ
Datasheet , pdf , 416 КБ
Datasheet , pdf , 643 КБ

STP36N60M6, Транзистор: N-MOSFET - характеристики, поставщики

Последняя цена 1170 руб.

Техническая документация