STP33N60DM6, Транзистор: N-MOSFET, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 870 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-канал 600V 25A (Tc) 190W (Tc) сквозное отверстие TO-220

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STP33N60DM6

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2087490

Технические параметры

Вес, г

2.5

Brand

STMicroelectronics

Mounting Type

Through Hole

Число контактов

Package Type

TO-220FP

Base Product Number

STP33 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

Not Applicable

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220

Максимальный непрерывный ток стока

25 А

Максимальное сопротивление сток-исток

0,115 O

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Материал транзистора

SiC

Номер канала

Опускание

Тип канала

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

25A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 100V

Power Dissipation (Max)

190W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

128mOhm @ 12.5A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±25V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.75V @ 250ВµA

Number of Elements per Chip

Series

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Maximum Gate Threshold Voltage

4.75V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 468 КБ
Datasheet STP33N60DM6 , pdf , 269 КБ

STP33N60DM6, Транзистор: N-MOSFET - характеристики, поставщики

Последняя цена 870 руб.

Техническая документация