STP30N65M5, Транзистор N-МОП, полевой, 650В 22A 140Вт 0,139Ом TO220, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 980 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор N-channel 650 V MDMesh

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STP30N65M5

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2087517

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

1.91

Mounting Type

Through Hole

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

Mdmesh M5

Торговая марка

STMicroelectronics

Id - непрерывный ток утечки

22 A

Pd - рассеивание мощности

140 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

650 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

STP30 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

125 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

25 V, + 25 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

22A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2880pF @ 100V

Power Dissipation (Max)

140W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

139mOhm @ 11A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±25V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250ВµA

Series

MDmeshв„ў V ->

Qg - заряд затвора

64 nC

Время нарастания

8 ns

Время спада

10 ns

Коммерческое обозначение

MDmesh

Типичное время задержки выключения

50 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 10V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1277 КБ
Datasheet STP30N65M5 , pdf , 1259 КБ

STP30N65M5, Транзистор N-МОП, полевой, 650В 22A 140Вт 0,139Ом TO220 - характеристики, поставщики

Последняя цена 980 руб.

Техническая документация