STP28NM50N, Транзистор N-MOSFET, полевой, 550В, 21А, 150Вт, TO220, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 221 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-Channel MDmesh ™, 500 В, STMicroelectronics

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STP28NM50N

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2125461

Технические параметры

Вес, г

Тип корпуса

TO-220

Ширина

4.6мм

Число контактов

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Серия

MDmesh

Длина

10.4мм

Высота

15.75мм

Размеры

10.4 x 4.6 x 15.75мм

Производитель

STMicroelectronics

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

21 A

Максимальное рассеяние мощности

150 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

158 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

1735 пФ при 25 В

Тип канала

Типичное время задержки выключения

62 нс

Типичное время задержки включения

13,6 нс

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

50 nC @ 10 V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

21A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

150W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

500V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Maximum Gate Threshold Voltage

Техническая документация

Datasheet , pdf , 961 КБ

STP28NM50N, Транзистор N-MOSFET, полевой, 550В, 21А, 150Вт, TO220 - характеристики, поставщики

Последняя цена 221 руб.

Техническая документация